Kioxia产生10M IOPS超高随机性能XL

Home于6月6日报告说，Nany闪存巨头Kioxia昨天在该公司的战略会议上宣布了AI期间的中型和长期增长策略，并指出该公司正在为AI应用程序开发固态驱动力，以要求超高速度和超高性能。该SSD将将XL-Flash高性能SLC NAND与新的SSD大师结合起来，以随机阅读提供10M IOP，这是现有企业级TLC PCIE 5.0 SSD级别的三倍（IT注意：3000+K OPS）。 Kioxia计划在明年下半年实现该产品的样本发布。在金字塔DRAM和普通NAND的存储之间的SCM级别上，Kioxia还计划发布样品，以支持2026年下半年的XL-Flash存储产品。此外，它与South Aneologysia一起生产氧化物半导体（Igzo）Channe跨性别的Octram octram octram octram octram octram octram octram clunner transor drummemose的技术。 Kioxia还在T他的时间。未来的BICS 10将达到332L，最大2TB容量，接口速率高达4800mt/s，并且在延迟阅读，写入功耗和位密度方面将有所改善。